岗位职责：

1、负责干法刻蚀或精密湿法蚀刻新工艺预研、机理研究、工艺开发与 DOE 方案设计，面向新一代光学元件、微型功能结构、超薄 VC 均热板、光波导、DOE 衍射光学元件等产品开发，管控刻蚀速率、选择比、CD 关键尺寸、侧壁 profile、深宽比、表面粗糙度、残留、底切等核心指标

2、主导等离子体刻蚀机理、材料界面反应、等离子损伤、刻蚀缺陷根源分析，建立工艺物理模型，解决高良率、高一致性、高可靠性瓶颈问题；使用 SEM、CD-SEM、AFM、XPS、椭偏、OES 等表征完成工艺验证与失效分析。

3、对接客户、光学设计团队、光刻/薄膜/电镀/组装 PIE 团队，完成工艺集成方案评估、工程批试验、客户规格送样、技术汇报、问题闭环，满足客户研发准入与 NPI EVT/DVT/PVT 节点交付

4、开展新设备、新气体化学体系、新材料蚀刻工艺评估，输出硬件改造与工艺路线建议，规划中长期蚀刻技术路线

5、负责核心技术沉淀，撰写工艺规范 SOP、技术报告，布局发明专利，构建公司蚀刻工艺数据库；指导中初级工艺工程师，搭建研发方法论

6、推动新工艺从研发导入小批量试产，完成工艺转移、工艺窗口固化、SPC 稳定管控，落地良率提升、降本方案；配合品质完成客户稽核、CAPA 改善、可靠性验证。

7、与设备供应商联合开发定制化蚀刻方案，完成机台验收、工艺匹配、腔室匹配与长期稳定性评估

任职要求：

1、博士学历，微电子、材料科学与工程、半导体物理、光学工程、化学工程、等离子体物理等相关专业；研究方向包含干法等离子刻蚀、精密湿法蚀刻、微纳加工、薄膜工艺优先

2、具备ICP/RIE/IBE 干法刻蚀或精密金属/介质湿法蚀刻研发经验，熟悉 SiO₂、SiN、a-Si、金属 Cr/Al/Cu、光学薄膜、陶瓷、高分子等材料刻蚀机理；有光学元件、VC 均热板、微型结构件、光波导、DOE 加工经验优先

3、精通 DOE 实验设计、数据建模、缺陷根因分析；熟练使用各类微纳表征设备进行工艺表征与失效分析

4、具备完整 NPI 新工艺开发经验，有直接对接终端大客户、看懂客户 SOR 规格、完成送样验证经验优先

5、英文读写流利，可阅读原版 spec、撰写英文技术报告，参与跨国客户技术会议

6、良好项目管理能力，跨部门协同，逻辑严谨，擅长复杂工艺机理拆解与创新方案输出

7、熟悉半导体行业供应链合规、品质管控、ESCI、可靠性测试要求者优先

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